楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業內對于更大內存帶寬的需求，能適應企業和數據中心應用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產品線，擁有全新的可擴展、可調整的高性能架構。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數據中心領域的多家領先客戶建立合作
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Cadence DDR5 MRDIMM Gen2 內存IP 云端AI
全球存儲器市場近期出現顯著價格上漲，消費級存儲器產品價格持續攀升。 根據最新市場動態，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發布NAND Flash價格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產品實施價格調整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發展，持續推動了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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SK海力士 DRAM
據最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現更優。為加快研發進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發。VCT DRAM技術是一種新型存儲
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三星電子 VCT DRAM
三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內存 HBM
4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現營業收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務器平臺產品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
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瀾起科技 DDR5 存儲
2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節）產品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產品。SK海力士表示：“將此產品應用于服務器系統，相較于現有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數據。該產品有望顯著降低客戶在構建并運營數據中心時所需的總體擁有成本*。”繼96GB產品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產品的驗證流程。該產品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數據中心存儲
高性能人工智能（AI）數據中心正在以前所未有的方式重塑半導體設計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎設施方面的支出規模就已接近150億美元。而今年這一數字可能輕松突破600億美元大關。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數據中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準確估量。但不可否認的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業焦點的同時，用于存儲訓練和推理模型的高帶寬內存同樣迎來了屬于
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數據中心 DRAM
4月9日消息，根據Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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SK海力士 三星 DRAM
4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional
DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產線供料穩定，庫存水
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TrendForce 集邦咨詢 DRAM
美光經過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優化的 1γ節點的誕生。
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美光1γ DRAM
3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
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3D DRAM
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態系統合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節點?DDR5?內存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節點的領先優勢，1γ DRAM?節點的這一新里程碑將推動從云端、工業、消費應用到端側?AI?設備（如?AI PC、智能手
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美光 1γ DRAM DRAM
2 月 18 日消息，據 TheElec 報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用
1b DRAM 生產 HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
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三星 芯片 1b DRAM 樣品 英偉達
據韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產品認證，連續多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產。據了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發。SK海力士曾表示，1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產品群，進一步鞏固其在內存市場的領先地位。
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